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QTB251型金属基压敏芯片

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QTB251型金属基压敏芯片

QTB251金属基压敏芯片采用MEMS工艺，将应变电阻直接制作在17-4PH不锈钢基底上，通过基底的受力弹性形变，芯片输出与被测压力成线性关系的mV电压信号，实现对被测压力的准确快速测量。该产品适用于对传感器性能、可靠性和稳定性需求高及安装位置受限的行业。芯片输出mV电压信号，客户可根据实际要求对信号进行处理。

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参数

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产品概述

QTB251金属基压敏芯片采用MEMS工艺，将应变电阻直接制作在17-4PH不锈钢基底上，通过基底的受力弹性形变，芯片输出与被测压力成线性关系的mV电压信号，实现对被测压力的准确快速测量。该产品适用于对传感器性能、可靠性和稳定性需求高及安装位置受限的行业。芯片输出mV电压信号，客户可根据实际要求对信号进行处理

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产品特点

◆溅射膜技术保证长期稳定性好，可靠性高

◆宽工作温区，低温度漂移，精度高

◆一体化结构，适用于多种流体介质

◆可同时检测压力和温度信号

◆17-4PH不锈钢材质，耐腐蚀

◆体积小,应变面外径5mm,台阶处外径7.5mm 高5mm，产品重量1g

◆唯一ID功能码

◆性价比高，适合OEM厂商

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电路原理与引脚标识定义

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用途及行业

适用于车身电子稳定系统(ESP)、电子液压制动系统(EHB)、液压元件、自动化设备等对尺寸微型化要求高的测压应用。

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产品参数

被测介质	与不锈钢兼容的气体、液体
压力类型	表压、绝压
量程	6MPa～250MPa
精度	±0.2%FS、±0.5%FS、±1%FS
非线性	±0.1%FS、±0.15%FS
迟滞性	±0.1%FS
重复性	0.1%FS
灵敏度	1.5±0.2 mV/V、1.7±0.2mV/V
长期稳定性	±0.1%FS/年、±0.2%FS/年
工作温度	-40～+105℃或定制
零点温度漂移	±0.01 %FS/℃
满量程温度漂移	±0.03 %FS/℃
绝缘电阻	≥1000MΩ/500VAC
破坏压力	10～20倍（最大不超过≤400MPa）
允许过载	1.5～2倍或定制
响应时间	≤0.1毫秒
材料	17-4PH
高可靠性	耐1000万次冲击，可持续受压
外形尺寸	应变面外径5mm，台阶处外径7.5mm，高5mm
可识别	唯一ID码，可查询芯片的制造、测试、标定信息